錼创显示科技股份有限公司陈彦烨获国家专利权
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龙图腾网获悉錼创显示科技股份有限公司申请的专利微型发光芯片结构及微型显示器结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116014049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211693360.5,技术领域涉及:H10H20/841;该发明授权微型发光芯片结构及微型显示器结构是由陈彦烨设计研发完成,并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光芯片结构及微型显示器结构在说明书摘要公布了:本公开提供一种微型发光芯片结构包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层。第二型半导体层具有周侧表面及端面。微型发光芯片结构也包含至少覆盖周侧表面及端面的第一绝缘层、反射层及第二绝缘层,反射层设置于第一绝缘层之上,第二绝缘层设置于反射层之上。微型发光芯片结构还包含电极及介电结构,电极设置于端面之上并连接于第二型半导体层,而介电结构位于电极与反射层之间。介电结构连接第一绝缘层与第二绝缘层且于端面之上封闭反射层邻近电极的一部分,使电极与反射层电性绝缘。
本发明授权微型发光芯片结构及微型显示器结构在权利要求书中公布了:1.一种微型发光芯片结构,包括: 第一型半导体层; 发光层,设置于所述第一型半导体层之上; 第二型半导体层,设置于所述发光层相对于所述第一型半导体层的一侧,其中所述第二型半导体层具有周侧表面及连接所述周侧表面的一端面; 第一绝缘层,至少覆盖所述周侧表面及所述端面; 反射层,设置于所述第一绝缘层之上,且至少覆盖所述周侧表面及所述端面; 第二绝缘层,设置于所述反射层之上,且至少覆盖所述周侧表面及所述端面; 电极,设置于所述端面之上并连接于所述第二型半导体层,其中所述电极与所述反射层在所述端面之上相邻; 介电结构,位于所述电极与所述反射层之间,其中所述介电结构连接所述第一绝缘层与所述第二绝缘层且于所述端面之上封闭所述反射层邻近所述电极的一部分,使所述电极与所述反射层电性绝缘;以及 欧姆接触层,覆盖所述第一型半导体层的至少一部分, 其中所述第一绝缘层、所述反射层及所述第二绝缘层沿着所述周侧表面往所述发光层及所述第一型半导体层延伸并覆盖所述发光层及所述第一型半导体层的一部分,且所述欧姆接触层连接于所述反射层。
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