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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111392291.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法是由陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4刻蚀多晶硅层，形开口；5进行第二热氧化工艺，在多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，基于体积变化将开口封闭形成第二封口，从而控制第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。本发明仅需采用传统的多晶硅沉积工艺结合多晶硅热氧化工艺便可有效对非对称大深宽比沟槽填充并控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。

本发明授权非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述填充方法包括： 1提供一硅基底，于所述硅基底中刻蚀出深沟槽，刻蚀所述硅基底，使所述深沟槽第一侧的所述硅基底高度小于所述深沟槽第二侧的硅基底高度，以形成非对称深沟槽，所述深沟槽的深宽比大于或等于10； 2于所述硅基底表面形成硬掩膜层，对所述硅基底进行第一热氧化工艺，在所述非对称深沟槽的侧壁和底部生成第一氧化硅层； 3在所述非对称深沟槽中和所述硬掩膜层上形成多晶硅层，随着所述多晶硅层的生长，所述多晶硅层在所述非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口； 4刻蚀所述多晶硅层，以逐渐减薄所述多晶硅层直至将所述第一封口打开，形成具有一宽度的开口，所述开口的宽度小于或等于所述非对称深沟槽两侧的所述多晶硅层经氧化形成氧化硅层而增加的厚度； 5基于所述开口对所述多晶硅层进行第二热氧化工艺，以将所述多晶硅层氧化形成第二氧化硅层，在所述多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，所述第二氧化硅层的体积相对所述多晶硅层变大，以将所述开口封闭形成第二封口，从而控制所述第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。

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