中国科学院上海高等研究院周蜀东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海高等研究院申请的专利一种双周期波荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310128202.3，技术领域涉及：H01S4/00；该发明授权一种双周期波荡器是由周蜀东;张伟;相升旺;朱亚;雷阳阳设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双周期波荡器在说明书摘要公布了：本发明提供一种双周期波荡器，包括彼此可相对移动的上下磁载结构、固定于下磁载结构上的两个磁体阵列结构、以及固定于上磁载结构上的两个磁体阵列结构，其中四个磁体阵列结构两两组成第一和第二波荡器；四个磁体阵列结构在z方向上的相对位置使得第一和第二波荡器的其中一台的两磁体阵列结构对齐并工作时，另一台的两磁体阵列结构在z方向上处于能够产生斥力的彼此错开的位置，z方向为双周期波荡器的束流传播方向。本发明的双周期波荡器在其中两个磁体阵列对齐时另外两个错开，产生排斥力来补偿对齐的磁体阵列的吸引力，从而基于磁力补偿缩减波荡器的磁力负载，减小波荡器的整体的体积，在相同的波荡器体积下扩大辐射光子的能量范围。
本发明授权一种双周期波荡器在权利要求书中公布了：1.一种双周期波荡器，其特征在于，包括彼此可相对移动的下磁载结构和上磁载结构、固定于下磁载结构上的第二磁体阵列结构和第四磁体阵列结构、以及固定于上磁载结构上的第一磁体阵列结构和第三磁体阵列结构，所述第一磁体阵列结构和第二磁体阵列结构在对齐时共同组成第一波荡器，第三磁体阵列结构和第四磁体阵列结构在对齐时共同组成第二波荡器； 其中，下磁载结构上的两个磁体阵列结构在z方向上的相对位置以及上磁载结构上的两个磁体阵列结构在z方向上的相对位置设置为使得第一和第二波荡器的其中一台的两个磁体阵列结构对齐并工作时，另一台的两个磁体阵列结构在z方向上处于能够产生斥力的彼此错开的位置，z方向为双周期波荡器的束流传播方向； 所述下磁载结构的两个磁体阵列结构和上磁载结构的两个磁体阵列结构均在z方向上错开，错开的距离不同，或者错开的距离相同但错开的方向相反。
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