上海航天电子通讯设备研究所张理正获国家专利权
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龙图腾网获悉上海航天电子通讯设备研究所申请的专利基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310091744.8，技术领域涉及：H01P1/208；该发明授权基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器是由张理正;沈玮;陈桂莲;乔琦;马军伟设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器，针对现有的采用正交模实现滤波交叉器，在绝对带宽1.44％或4.75％下，隔离度较差的问题，通过介质基板的中央设置第五谐振腔，围绕第五谐振腔分别设置第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔及第四谐振腔，第五谐振腔分别与第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔及第四谐振腔，通过两个开槽口产生180°相位差，实现高隔离度滤波交叉器。相对传统采用正交模实现方式，在相同带宽下，隔离度提高9dB。
本发明授权基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器在权利要求书中公布了：1.一种基于多耦合路径高隔离度基片集成波导滤波交叉器，其特征在于，包括：第一金属层、第二金属层及设置于所述第一金属层与第二金属层之间的介质基板； 其中，所述第一金属层上设置第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口及第二输出端口； 所述介质基板的中央设置第五谐振腔，围绕所述第五谐振腔分别设置第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔及第四谐振腔；所述第五谐振腔与每个外围谐振腔之间通过两个开槽口形成多耦合路径，并产生180°相位差以实现高隔离度； 所述第一输入端口激励所述第一谐振腔，所述第三谐振腔耦合到所述第一输出端口输出； 所述第二输入端口激励所述第二谐振腔，所述第四谐振腔耦合到所述第二输出端口输出； 其中，所述第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔工作于TE101模式，所述第五谐振腔工作于TE102或TE201模式。
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