华为技术有限公司侯航天获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利谐振器及其制备方法、滤波器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116235411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080105371.X，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权谐振器及其制备方法、滤波器、电子设备是由侯航天;杜波;刘鹏;高宗智设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振器及其制备方法、滤波器、电子设备在说明书摘要公布了：一种谐振器及其制备方法、滤波器、电子设备，该谐振器包括依次堆叠设置的衬底3、布拉格反射层2以及压电层1；压电层1朝向布拉格反射层2的表面设置有第一电极11，压电层1背离布拉格反射层2的表面设置有第二电极12；第二电极12背离压电层1的表面设置有的边界环13，谐振器具有第一谐振区域A1和与边界环13对应的第二谐振区域A2；沿堆叠方向，布拉格反射层2包括低声阻结构21以及埋设于低声阳结构21中的第一高声阻结构22；第一高声阻结构22设置有与第二谐振区域A2对应的不连续性结构D，F。通过合理设计第一高声阳结构22，可以减弱边界环13产生的边界模式谐波影响，保持谐振器的高品质因子；此外，第一高声阻结构22的制作工艺实现可行性强。
本发明授权谐振器及其制备方法、滤波器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种谐振器，其特征在于，包括：依次堆叠设置的衬底、布拉格反射层以及压电层； 所述压电层朝向所述布拉格反射层的表面设置有第一电极，所述压电层背离所述布拉格反射层的表面设置有第二电极；所述第二电极背离所述压电层的表面设置有边界环，所述谐振器具有第一谐振区域和与所述边界环对应的第二谐振区域； 沿堆叠方向，所述布拉格反射层包括低声阻结构以及埋设于所述低声阻结构中的第一高声阻结构；所述第一高声阻结构设置有与所述第二谐振区域对应的不连续性结构。
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