大连科利德光电子材料有限公司赵毅获国家专利权
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龙图腾网获悉大连科利德光电子材料有限公司申请的专利稀有气体中反应性杂质的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116236899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310338289.7，技术领域涉及：B01D53/86；该发明授权稀有气体中反应性杂质的去除方法是由赵毅;王明月;于颖;刘颖;刘冬设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本稀有气体中反应性杂质的去除方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气体提纯领域，尤其涉及稀有气体中反应性杂质的去除方法，所述方法包括以下步骤：S.1将工业级稀有气体进行催化氧化，使得其中的还原性杂质气体被氧化；S.2将经过催化氧化处理后的稀有气体通入到填充有含有氧气吸附单元以及二氧化碳吸附单元的杂质气体吸附剂的吸附塔中进行吸附。通过本发明中的方法，能够有效去除稀有气体中的多种反应性杂质，有效提升了稀有气体的纯度。本发明中的吸附提纯方法步骤简单，成本低廉，有利于大规模工业应用。
本发明授权稀有气体中反应性杂质的去除方法在权利要求书中公布了：1.稀有气体中反应性杂质的去除方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1将工业级稀有气体进行催化氧化，使得其中的还原性杂质气体被氧化； S.2将经过催化氧化处理后的稀有气体通入到含有杂质气体吸附剂的吸附塔中进行吸附，吸附结束后经过深冷处理，得到纯化后的稀有气体； 所述步骤S.2中的杂质气体吸附剂包括聚合物单元； 以及接枝于聚合物单元侧链的氧气吸附单元以及二氧化碳吸附单元； 所述氧气吸附单元其包含有具有还原性的二烯醇、共轭双键结构或者酚类结构； 所述二氧化碳吸附单元为包含有氨基的氨基酸残基； 所述步骤S.2中杂质气体吸附剂的制备方法如下： 1将含有羟基以及氧气吸附单元的化合物与含有烷氧基的硅烷反应，得到含有氧气吸附单元的单体Ⅰ； 2将氨基酸中羧基酰氯化，然后与丙烯酸羟乙酯反应，得到中间体Ⅱ，将然后将中间体Ⅱ与同时含有硅氢以及烷氧基的硅烷反应发生硅氢加成反应，得到含有二氧化碳吸附单元的单体Ⅱ； 3将单体Ⅰ以及单体Ⅱ混合水解，得到带有氧气吸附单元以及二氧化碳吸附单元的二氧化硅气凝胶，将其粉碎后得到所述杂质气体吸附剂。
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