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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种硅基太赫兹开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310701026.8，技术领域涉及：H01P1/10；该发明授权一种硅基太赫兹开关是由赵嘉昊;赵晓光;孙振词设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基太赫兹开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基太赫兹开关，包括硅结构、第一电极、超材料结构、绝缘层、衬底和第二电极；所述硅结构包括由外向内依次相连的固支结构、支撑梁和硅板；所述第一电极设置在所述固支结构的上表面上；所述超材料结构设置在所述硅板的下表面上；所述绝缘层覆盖在所述超材料结构上；所述衬底的上表面上设有凹槽，所述固支结构设置在所述衬底的上表面上，所述支撑梁、所述硅板、所述超材料结构及所述绝缘层悬空地位于所述凹槽的凹口处；所述第二电极设置在所述凹槽的凹底面上，所述第二电极与所述绝缘层之间具有空气间隙。本发明硅基太赫兹开关的器件吸收率、调制对比度均高，半高全宽值小，且驱动功耗低，切换速度快、控制简单。

本发明授权一种硅基太赫兹开关在权利要求书中公布了：1.一种硅基太赫兹开关，其特征在于，包括： 硅结构，所述硅结构包括由外向内依次相连的固支结构、支撑梁和硅板； 第一电极，所述第一电极设置在所述固支结构的上表面上； 超材料结构，所述超材料结构设置在所述硅板的下表面上； 绝缘层，所述绝缘层覆盖在所述超材料结构上； 衬底，所述衬底的上表面上设有凹槽，所述固支结构设置在所述衬底的上表面上，所述支撑梁、所述硅板、所述超材料结构及所述绝缘层悬空地位于所述凹槽的凹口处； 第二电极，所述第二电极设置在所述凹槽的凹底面上，所述第二电极与所述绝缘层之间具有空气间隙； 工作时，太赫兹波束垂直所述硅板入射至所述硅基太赫兹开关，在未通电条件下，所述超材料结构及所述绝缘层悬浮于所述第二电极之上，所述绝缘层与所述第二电极之间存在所述空气间隙，进而实现信号“关断”的效果，所述硅基太赫兹开关对处于工作频率的太赫兹波束完全吸收；对所述第一电极和所述第二电极之间施加驱动电压，在静电力的作用下，所述硅板被下拉，使得所述绝缘层与所述第二电极接触，所述硅基太赫兹开关处于信号“打开”状态，对所有频率下的太赫兹波完全反射。

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