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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种半导体场效应管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311031095.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体场效应管器件及其制造方法是由何梓维;梁嘉进;伍震威;单建安设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体场效应管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体场效应管器件及其制造方法,本发明涉及于功率半导体器件，所述半导体器的还包括用于在器件开通时提供电流导通区域的有源区域、使反偏时源极‑漏极之间的电场位于有源区域内以防止器件外围区域击穿的终端沟槽区域、为器件提供额外的Cgs并改善开关性的栅‑源电容区域、用于减少器件周期排列的沟槽所产生应力的应力释放区域和电场截止区域，比起传统结构和工艺，可以提高的栅源电容‑栅漏电容比值，以及提供高可靠性的器件终端结构。

本发明授权一种半导体场效应管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体场效应管器件，所述的器件包括有位于器件底部的漏极金属层、位于漏极金属层之上的第一导电型重掺杂衬底层和位于第一导电型重掺杂衬底层之上的第一导电型外延层；位于器件上表面的第二导电型掺杂体区和第一导电型重掺杂源区；位于器件顶部的氧化层、源极金属层和栅极金属层；位于器件边缘且位于源极金属层和栅极金属层上方的钝化层；所述的器件上表面向下延伸有第一类沟槽和第二类沟槽，所述的第一类沟槽包含有第一屏蔽栅电极和栅电极，所述的第二类沟槽包含有第二屏蔽栅电极和由所述的第二屏蔽栅电极向上延伸形成的表面多晶硅层； 其特征在于，所述的器件还包括由内至外依次排列的用于在器件开通时提供电流导通区域的有源区域、使反偏时源极-漏极之间的电场位于有源区域内以防止器件外围区域击穿的终端沟槽区域、为器件提供额外的Cgs并改善开关性的栅-源电容区域、用于减少器件周期排列的沟槽所产生应力的应力释放区域和电场截止区域；所述的有源区域内设有一系列第一类沟槽；所述的终端沟槽区域内设有一段以上相互平行的第二类沟槽，该区域中的第二类沟槽中的第二屏蔽栅电极和所述的源极金属层相连；所述的栅-源电容区域内设有一段以上相互平行的第二类沟槽，该区域中的第二屏蔽栅电极和源极金属层相连，位于该区域的栅极金属和该区域延伸到半导体上表面的表面多晶硅层形成竖直方向的栅-源电容；所述的应力释放区域内设有至少一段围绕栅-源电容区域的第一类沟槽；所述的电场截止区域内至少设有一段围绕所述应力释放区域的第一类沟槽、围绕该区域的第一类沟槽的第二类沟槽、围绕该区域第二类沟槽的用于连接器件外围的半导体区域和该区域的第二类沟槽中的第二屏蔽栅电极的接触孔； 向上延伸形成的表面多晶硅层分布在终端沟槽区域和栅-源电容区域，两个区域的表面多晶硅层相连。

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