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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310856113.0，技术领域涉及：G01R31/265；该发明授权一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法是由郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数随辐照的连续变化的不足。

本发明授权一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，辐照前转移特性曲线测试： 辐照开始前，测试辐照前转移特性，绘制纳米工艺晶体管转移特性曲线； 步骤2，辐照前阈值电压Vth提取： 从纳米工艺晶体管转移特性曲线中提取漏电流ID对应的栅扫描电压VGS，得到纳米工艺晶体管阈值电压Vth； 步骤3，辐照偏置条件确定： 辐照试验开始前，确定纳米工艺晶体管施加的辐照偏置条件；所述辐照偏置条件为：漏偏置电压VDS大于或等于0.05V，栅扫描电压VGS取值为：VGS＝Vth±100mV； 源端、衬底接地； 步骤4，在线辐照测试： 按步骤3施加的辐照偏置条件，对纳米工艺晶体管实施持续在线辐照，实时测试漏电流IDon_line，绘制漏电流IDon_line随时间变化曲线； 步骤5，漏电流IDon_line与阈值电压Vth关系提取： 在步骤4的在线辐照过程中，选取至少三个不同辐照时间，重复步骤1至3，得到不同辐照时间对应的漏电流IDon_line与阈值电压Vth值，拟合得出阈值电压Vth与漏电流IDon_line依赖方程； 步骤6，在线测试数据处理： 将不同辐照时间对应的漏电流IDon_line测试数据代入步骤5获得的阈值电压Vth与漏电流IDon_line依赖方程，获得不同辐照时间对应的阈值电压Vth。

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