上海交通大学王遥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116959521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210388806.7，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置是由王遥;肖蕊;陈蕾;文玉梅;李平设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置在说明书摘要公布了：一种基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置，包括：铁电层、软磁薄膜层和金属层；在信息写入时，在铁电层通入直流电源作为写入端口，利用电场脉冲激励铁电层产生非易失电致伸缩效应并传递到软磁薄膜层，通过耦合软磁薄膜在电场调控下的非易失巨磁阻抗效应和铁电层自身由于铁电畴旋转所引起的非易失阻抗效应，实现信息写入；在信息读出时，通过将铁电层和金属层串联，并通入交流电源作为读出端口，读出的阻抗作为存储信息，实现信息读出。本发明一方面可以实现非易失性的多态存储器，从而在断电时仍能保持存储的信息，并显著提高存储密度；另一方面可以通过一对相同结构的多铁存储器实现存储信息的无线收发功能。
本发明授权基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置在权利要求书中公布了：1.一种基于巨磁阻抗效应的多铁存储器，其特征在于，包括：铁电层2、软磁薄膜层1-1、1-2和金属层10； 在信息写入时，所述的铁电层2的上下表面电极与开关5连接构成写入端口4，写入端口4的铁电层通入直流电源，在写入端口4，所述的铁电层2通过开关5与交流电源7-1相连，利用电场脉冲激励铁电层产生非易失电致伸缩效应并传递到软磁薄膜层，通过耦合软磁薄膜在电场调控下的非易失巨磁阻抗效应和铁电层自身由于铁电畴旋转所引起的非易失阻抗效应，实现信息写入； 在信息读出时，通过将铁电层和金属层串联，并通入交流电源作为读出端口，读出的阻抗作为存储信息，实现信息读出； 所述的铁电层2上下表面电极与全波整流电路11相连，所述的全波整流电路11与控制器12相连，所述的控制器12与直流电源6相连接。
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