买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉瑞晟鸿(山东)半导体科技有限公司申请的专利一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117107213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311109093.7，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备是由赵光燮;姚树天;张跃伟设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，具体涉及碳化硅沉积处理技术领域，包括沉积处理室，所述沉积处理室上内设置有聚拢沉积组件，所述聚拢沉积组件包括用于支撑的滑台，所述滑台设置在支撑架的底部，所述滑台与沉积处理室滑动连接。本发明通过设置有聚拢沉积组件，气体能够通过软管以及L管和加强管进行导流，以便于含有碳化硅的气体能够以物料为中心点向外喷出，喷出的同时通过加热器实现对气体由内而外进行加热，滑板件能够通过喷涂板向上位移时的牵引力通过斜座的倾斜角度带动挡流板朝向物料的轴心点聚拢或者扩散，以便于含有碳化硅通过挡流板的隔挡聚拢在物料的外侧，提高沉积效率和效果。

本发明授权一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备在权利要求书中公布了：1.一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括沉积处理室1，其特征在于：所述沉积处理室1内设置有聚拢沉积组件； 所述聚拢沉积组件包括； 用于支撑的支撑架2，所述支撑架2设置在沉积处理室1的内腔底部； 可以旋转的偏转架201，所述偏转架201设置在支撑架2的内腔顶部； 用于物料放置可以旋转的转盘202，所述转盘202设置在偏转架201的顶部； 若干个用于对物料进行限位的限位座203，且各所述限位座203均沿着转盘202的轴心点圆周分布在转盘202上并与转盘202滑动连接； 用于支撑的托框3，所述托框3设置在沉积处理室1的内腔顶部； 用于支撑的限位板301，所述限位板301设置在托框3的底部并与沉积处理室1可拆卸连接； 用于驱动的第二电机302，所述第二电机302设置在限位板301上并与限位板301可拆卸连接； 可以旋转的丝杆303，所述丝杆303设置在第二电机302的输出端，所述丝杆303与托框3螺栓连接； 可以上下位移的喷涂板304，所述喷涂板304设置在限位板301的底部； 所述聚拢沉积组件还包括； 若干个用于限位的第一延长件305，且各所述第一延长件305分别设置在限位板301的外侧四边角处； 若干个用于限位的第二延长件306，且各所述第二延长件306分别设置在喷涂板304的外侧四边角处； 其中，各相应的第一延长件305和第二延长件306分别垂直设置，且各所述第一延长件305和第二延长件306上分别开设有滑槽； 若干个用于牵引的滑板件307，且各所述滑板件307分别设置在相应的第一延长件305和第二延长件306上并与其所属的滑槽滑动连接； 所述聚拢沉积组件还包括； 若干个用于导流的挡流板308，且各所述挡流板308分别设置在相应的滑板件307的底部； 两个竖截面形状设置为L形用于导流的L管309，且各所述L管309分别设置喷涂板304的两侧，两个所述L管309的顶部均贯穿托框3并延伸至托框3的顶部； 两个用于导流的加强管310，且各所述加强管310分别设置在相应的L管309底部一端； 其中，各所述L管309、加强管310和喷涂板304相连通； 所述聚拢沉积组件还包括； 用于支撑的中心盘4，所述中心盘4设置在限位板301和喷涂板304之间； 若干个用于限位的斜座401，且各所述斜座401均沿着中心盘4的轴心点圆周分布在相应的滑板件307一侧并与滑板件307滑动连接； 用于导向的竖轴402，所述竖轴402设置在喷涂板304的底部，所述竖轴402的顶部贯穿喷涂板304并延伸至中心盘4的底部； 用于加热的加热器403，所述加热器403设置在竖轴402的底部； 其中，各所述斜座401均沿着中心盘4的轴心点倾斜向上设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞晟鸿(山东)半导体科技有限公司，其通讯地址为：274900 山东省菏泽市巨野县独山镇青龙路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。