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龙图腾网获悉成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利一种非易失性存储器的编程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410821074.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种非易失性存储器的编程方法是由王腾锋;洪东设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非易失性存储器的编程方法在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器的编程方法，所述存储器包含：至少一个存储单元，所述存储单元包含：位于一个深N阱中的相邻的P阱和N阱，第一PMOS晶体管和NMOS电容分别位于N阱和P阱中，一个浮栅覆在所述PMOS晶体管和NMOS电容上；其中存储单元中的第一PMOS晶体管通过带带隧穿方式进行编程。本发明的编程方法，不需要高驱动电荷泵，在低功耗、小容量存储器的应用中更具竞争力。

本发明授权一种非易失性存储器的编程方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的编程方法，所述存储器包含：至少一个非易失性存储单元，构建在一个P型衬底上，其中每个非易失性存储单元包含：一个深N阱，位于所述P型衬底中，其中一个P阱和一个N阱位于所述深N阱中；一个第一PMOS晶体管位于所述N阱中；一个NMOS电容位于所述P阱中，该NMOS电容包含一个位于所述P阱中的N+耦合区；和一个浮栅，该浮栅覆在所述PMOS晶体管和NMOS电容上； 所述编程方法是：使所述非易失性存储单元中的第一PMOS晶体管，通过带带隧穿方式进行编程，该编程方法包括如下步骤：a使N阱电势大于第一PMOS晶体管的一个端极的电势，两者的电势差在N阱与所述端极的交界面处的PN结上，形成一个反向偏置电压，该反向偏置电压使所述PN结的电子趋向集中在PN结内靠近N阱的一侧；b使第一PMOS晶体管浮栅上的电势大于其上述端极的电势，而且两者的电势差能在所述浮栅与所述端极之间形成一个电场强度大于8MVcm的强电场；c在N阱与所述端极的交界面的PN结内的靠近N阱一侧的电子，在上述强电场的作用下，注入第一PMOS晶体管的浮栅，实现编程； 其中所述的N阱与所述端极的电势差，比两者界面处的PN结的雪崩击穿电压小0.1-1.0V。

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