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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种金属-氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411156607.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种金属-氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件是由吴玉舟;禹久泓;唐玉婷;任敏设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属-氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件。该金属‑氧化物半导体场效应晶体管包括：衬底；外延层；外延层远离衬底的一侧设置有漂移区、阱区和第一有源区，第一有源区的导电类型和阱区的导电类型相反；镇流电阻区，镇流电阻区位于阱区远离漂移区的一侧；镇流电阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区，低阻区位于阱区远离漂移区的一侧；低阻区的导电类型和第一有源区的导电类型相同；低阻区的掺杂浓度大于镇流电阻区的掺杂浓度，低阻区的掺杂浓度小于第一有源区的掺杂浓度；镇流电阻区和低阻区位于第一有源区的同一侧。本发明实施例提供的技术方案提升了器件承载瞬态大电流的能力以及短路特性。

本发明授权一种金属-氧化物半导体场效应晶体管以及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种金属-氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧；所述外延层远离所述衬底的一侧设置有漂移区、阱区和有源区；所述阱区位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，所述有源区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧，所述有源区至少包括第一有源区，所述第一有源区的导电类型和所述阱区的导电类型相反； 镇流电阻区，所述镇流电阻区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧；所述镇流电阻区的导电类型和所述第一有源区的导电类型相同； 低阻区，所述低阻区位于所述阱区远离所述漂移区的一侧；所述低阻区的导电类型和所述第一有源区的导电类型相同；所述低阻区的掺杂浓度大于镇流电阻区的掺杂浓度，所述低阻区的掺杂浓度小于所述第一有源区的掺杂浓度；所述镇流电阻区和所述低阻区位于所述第一有源区的同一侧； 正向导通且非短路工况下，源漏电流流经所述第一有源区、所述低阻区到达所述阱区的反型沟道；短路工况下，源漏电流从所述第一有源区流经所述镇流电阻区和所述低阻区到达所述阱区的反型沟道；所述镇流电阻区和所述低阻区位于所述第一有源区和所述阱区的反型沟道之间； 栅极结构，所述栅极结构位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述栅极结构包括第一介质层、多晶硅栅极以及第二介质层，所述第一介质层位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述多晶硅栅极位于所述第一介质层远离所述外延层的一侧，所述第二介质层位于所述多晶硅栅极远离所述外延层的一侧； 源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底的一侧； 漏极，所述漏极位于所述衬底远离所述外延层的一侧。

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