北京大学高川获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种具有稳定活性晶面的钴酸锂正极材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119324222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125611.9，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权一种具有稳定活性晶面的钴酸锂正极材料是由高川;夏定国设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有稳定活性晶面的钴酸锂正极材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有稳定活性晶面的钴酸锂正极材料，属于锂离子电池正极材料技术领域。该具有稳定的活性晶面的钴酸锂正极材材料为层状O3型钴酸锂，化学通式为LiaMbCoO2，其中，M至少包含Mg、Al、Ti的一种，0.7≤a≤1，0.001≤b≤0.005。该材料暴露的活性晶面主要为100晶面，且该活性晶面因表面包覆层和金属离子M的渗入而被稳定化，同时没有明显的沿层开裂现象。装配本发明正极材料的电池与现有同类正极材料相比具有使用寿命长、倍率性能好等优势。此外，本发明的正极材料通过离子交换法制备，制备方法简单易行，不增加额外处理步骤，有利于工业化生产中的成本和质量控制。
本发明授权一种具有稳定活性晶面的钴酸锂正极材料在权利要求书中公布了：1.一种锂离子电池正极材料，是通过离子交换法制备的具有稳定活性晶面的层状O3型钴酸锂材料，通过在离子交换反应中加入含有M的熔盐反应添加剂实现M的掺杂和包覆，其化学通式为LiaMbCoO2，其中，M至少包含Mg、Al、Ti中的一种，0.7≤a≤1，0.001≤b≤0.005；该材料暴露的活性晶面为100晶面，暴露的活性晶面处同时存在M离子梯度掺杂和包覆层，且掺杂的金属离子M主要占据Li层，所述包覆层为尖晶石结构。
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