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龙图腾网获悉江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司申请的专利一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411508767.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法是由邓华鲜设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：一：在N型衬底上形成N‑Drift区和N‑CSL层；二：在N‑CSL层上设置P+过渡区和P+源极接触区；三：在N‑CSL层上依次形成P‑well区和N+有源区；四：刻蚀栅极沟槽；五：淀积场氧化层；六：通过刻蚀仅保留P+过渡区外侧的场氧化层；七：淀积多晶硅；八：通过刻蚀仅保留栅极沟槽内、P+源极接触区正上方和P+过渡区正上方的多晶硅；九：设置源极通孔并设置源极接触；十一：设置栅极通孔并设置栅极接触；十二：设置源极电极、栅极电极和漏极电极。该方法解决了现有技术制造难度大、成本高、比导通电阻高的技术问题。

本发明授权一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：在重掺杂的N型衬底1-1上依次形成掺杂的N-Drift区1-2和N-CSL层1-3； 步骤二：在N-CSL层1-3的四周设置P+过渡区1-5，在N-CSL层1-3上均匀设置多个P+源极接触区1-4，多个P+源极接触区1-4将N-CSL层1-3分隔成多块，多个P+源极接触区1-4与多块N-CSL层1-3交替设置在P+过渡区1-5内； 步骤三：采用离子注入的方式在各N-CSL层1-3的正上方依次形成P-well区1-6和N+有源区1-7，随后在高温下退火激活杂质； 步骤四：自各N+有源区1-7的中部向下刻蚀至N-CSL层1-3上部形成栅极沟槽1-8； 步骤五：通过化学气相淀积法淀积场氧化层1-9同时覆盖P+过渡区1-5及位于P+过渡区1-5内的区域； 步骤六：通过光刻刻蚀去除P+过渡区1-5内侧及位于P+过渡区1-5内的场氧化层1-9，仅保留P+过渡区1-5外侧的场氧化层1-9，然后在去除了场氧化层1-9的位置对应生长出栅氧化层1-10； 步骤七：淀积多晶硅1-11同时覆盖场氧化层1-9和栅氧化层1-10； 步骤八：通过光刻刻蚀去除多余多晶硅1-11，仅保留栅极沟槽1-8内、P+源极接触区1-4正上方和P+过渡区1-5正上方的多晶硅1-11； 步骤九：通过化学气相淀积法淀积ILD隔离层1-12同时覆盖多晶硅1-11及多晶硅1-11之间的区域； 步骤十：采用光刻干法在各P+源极接触区1-4上方的ILD隔离层1-12上刻蚀出缺口，采用湿法腐蚀的方法去除缺口下方的ILD隔离层1-12和多晶硅1-11并形成源极通孔，随后在源极通孔内淀积Ni合金并形成源极接触1-13； 步骤十一：在ILD隔离层1-12上淀积掩膜层，通过光刻刻蚀场氧化层1-9正上方的ILD隔离层1-12并形成栅极通孔，随后在栅极通孔内淀积Ti合金并形成栅极接触1-14； 步骤十二：淀积金属层同时覆盖源极接触1-13和栅极接触1-14，在金属层上涂胶，并通过光刻刻蚀形成相互隔离的源极电极1-15和栅极电极1-17，最后在N型衬底1-1的下方淀积金属并形成漏极电极1-16，完成制备。

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