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龙图腾网获悉江西铜业技术研究院有限公司申请的专利一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411389119.2，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法是由李仲;曹俊;李先锋;王习锋;王志恒;刘乔波;刘延丰;朱利强;熊俊杰;王舒远设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法。该制备方法包括以下步骤：将钕铁硼合金速凝片依次进行氢破碎、气流磨、磁场成型、冷等静压和低温预烧结处理，得到预烧结钕铁硼磁体；使用脉冲激光沉积工艺对预烧结磁体表面沉积非稀土金属或金属氧化物膜层；将沉积有非稀土金属或金属氧化物膜层的钕铁硼磁体进行扩散热处理；再次使用脉冲激光沉积工艺对处理后的钕铁硼磁体表面沉积重稀土元素膜层；对处理后的钕铁硼磁体进行扩散热处理和回火处理。本方法降低了扩散的成本，同时提高了重稀土元素在磁体中的扩散深度，制备出兼具高矫顽力和高磁能积的钕铁硼磁体，满足稀土永磁电机等新兴产业的迫切应用需求。

本发明授权一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散方法，其特征在于，所述晶界扩散方法具体包括以下步骤： S1将钕铁硼合金速凝片依次进行氢破碎、气流磨、磁场成型、冷等静压和低温预烧结处理，得到预烧结钕铁硼磁体； S2在S1得到的预烧结钕铁硼磁体放入真空腔内并加热，再将非稀土金属或金属氧化物靶材采用激光脉冲沉积技术均匀溅射到钕铁硼磁体表面上，沉积在钕铁硼磁体表面的非稀土金属或金属氧化物膜层构成后期构建扩散通道的成分； 所述具体步骤为： S2.1先将真空腔内充满纯氩气，气压为1~5Pa，将S1得到的预烧结钕铁硼磁体加热至温度为900~1000℃； S2.2将靶材采用激光脉冲沉积技术均匀溅射到以1~100rpm的转速在旋转的预烧结钕铁硼磁体表面上； 激光脉冲沉积技术的具体工艺为：激光能量密度为1~10Jcm2，激光频率为1~10Hz，激光脉冲沉积时间1~100mins； 靶材为非稀土金属或金属氧化物；所述非稀土金属为Cu、Al、Mg、Ni、Zn中的一种或多种组合；所述金属氧化物为MgO、ZnO中的一种或两种组合； S3对S2处理得到的预烧结钕铁硼磁体进行烧结和回火工艺处理，沉积在钕铁硼磁体表面的非稀土金属或金属氧化物膜层均匀地渗透入钕铁硼磁体深处，形成预扩散通道； 所述烧结温度为1000~1200℃，时间为4~48h；回火温度为400~600℃，时间为1~8h； S4将S3处理得到的钕铁硼磁体放入真空腔内并加热，再将重稀土合金靶材采用激光脉冲沉积技术均匀溅射到钕铁硼磁体表面上，沉积在钕铁硼磁体表面的重稀土合金膜层构成后期晶界扩散的成分； 所述重稀土合金靶材，成分为RExHoaTm1-ayM1-x-y，其中RE为Dy、Tb、Gd中的一种或多种组合，M为Fe、Al、Ga、Cu中的一种或多种组合，0≤a≤0.1at.%，且0.5≤x≤0.9at.%，为0≤y≤0.1at.%； S5将S4处理后得到的钕铁硼磁体进行烧结和回火工艺处理，沉积在钕铁硼磁体表面的重稀土合金通过之前的预扩散通道均匀地渗透入钕铁硼磁体深处，即完成高性能烧结钕铁硼磁体的晶界扩散。

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