厦门大学林光杨获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种锗基源漏材料的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663013.7，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权一种锗基源漏材料的制备方法及其应用是由林光杨;陈国威;李成;陈松岩;黄巍设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗基源漏材料的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：一种锗基源漏材料的制备方法及其应用，涉及锗基源漏材料领域，在锗基衬底上通过锗和铝的共沉积生长锗铝薄膜，当衬底温度为215~383℃时，X射线衍射XRD测试锗铝薄膜为单晶结构，晶体质量良好且表面无铝的偏析。霍尔测试锗铝薄膜自带p型掺杂，激活的空穴浓度高达8×1020。根据飞行时间‑二次离子质谱仪TOF‑SIMS的表征结果，铝原子在未掺杂锗基衬底的扩散长度小于4nmdecade，可以应用于锗基逻辑电路先进节点工艺的p型原位掺杂和p+n浅结的制备。
本发明授权一种锗基源漏材料的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种锗基源漏材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先将锗基衬底预处理，然后将锗基衬底放入磁控溅射系统中抽真空，并加热进行锗基缓冲层的沉积，最后通过锗、铝的共沉积进行锗铝单晶薄膜的外延；所述锗、铝的共沉积，沉积温度为215~338℃。
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