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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411512897.6，技术领域涉及：H10K30/88；该发明授权一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由陈大正;张程;王赛;张春福;朱卫东;周龙;彭悦;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，从下到上依次包括PI衬底、第一金属性TaN电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第二金属性TaN电极；PI为不透明衬底时，环绕第二金属性TaN电极设置有TaON钝化层，第二金属性TaN电极和TaON钝化层上设置有抗反射层，此时第二金属性TaN电极厚度小于5nm；PI为透明衬底时，环绕第一金属性TaN电极设置有TaON钝化层，PI衬底和第一金属性TaN电极、TaON钝化层之间设置有抗反射层，此时第一金属性TaN电极厚度小于5nm。本发明提供了一种面向临近空间应用的高稳定性钙钛矿电池。

本发明授权一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种面向临近空间应用的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池从下到上依次包括PI衬底、第一金属性TaN电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第二金属性TaN电极；其中， 当所述PI衬底为不透明衬底时，环绕所述第二金属性TaN电极设置有TaON钝化层，在所述第二金属性TaN电极和所述TaON钝化层上设置有抗反射层，此时要求所述第一金属性TaN电极的厚度大于50nm，且所述第二金属性TaN电极的厚度小于5nm；其中，所述TaON钝化层通过原位氧化部分所述第二金属性TaN电极而得到； 当所述PI衬底为透明衬底时，环绕所述第一金属性TaN电极设置有TaON钝化层，在所述PI衬底和所述第一金属性TaN电极、所述TaON钝化层之间设置有抗反射层，此时要求所述第一金属性TaN电极的厚度小于5nm，且所述第二金属性TaN电极的厚度大于50nm；其中，所述TaON钝化层通过原位氧化部分所述第一金属性TaN电极而得到。

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