清华大学田禾获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于应力转移原理在陡直侧墙上湿法转移完整二维材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119503784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411213292.7，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权基于应力转移原理在陡直侧墙上湿法转移完整二维材料的方法是由田禾;刘晏铭设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于应力转移原理在陡直侧墙上湿法转移完整二维材料的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及二维材料技术领域，尤其涉及一种基于应力转移原理在陡直侧墙上湿法转移完整二维材料的方法。所述方法包括：在二维材料的表面涂覆上聚合物支撑层，在带聚合物支撑层的二维材料的表面继续涂覆上光刻胶层，而后对光刻胶层进行图形化，形成不含光刻胶的应力转移区和带光刻胶的应力保护区；最后将带复合牺牲涂层的二维材料转移至目标基底上；其中，目标基底具有带台阶的平面结构。本发明通过调控光刻胶层的图形，厚度不同区域的应力集中程度不同，实现对二维材料的应力释放；自然断裂发生在无光刻胶保护的区域，确保二维材料在侧墙上完整转移；解决了现有技术的局限，为制备新型二维器件提供新途径。
本发明授权基于应力转移原理在陡直侧墙上湿法转移完整二维材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法转移二维材料的方法，其特征在于，包括：在二维材料的表面涂覆上聚合物支撑层，在带聚合物支撑层的二维材料的表面继续涂覆上光刻胶层，而后对光刻胶层进行图形化，形成不含光刻胶的应力转移区和带光刻胶的应力保护区；最后将带复合牺牲涂层的二维材料转移至目标基底上； 其中，所述目标基底具有带台阶的平面结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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