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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利锗双波段增透膜膜系的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411632225.9，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权锗双波段增透膜膜系的制备方法是由梁献波;刘克武;尹士平设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗双波段增透膜膜系的制备方法在说明书摘要公布了：一种锗增透膜膜系的制备方法包括步骤：S1，将陪镀片和产品的表面清洁，陪镀片和产品均为锗且统称为镜片；S2，将镜片放入工装夹具，挂入真空镀膜机腔体内，腔体的温度设定为150°C；S3，真空镀膜机启动抽真空，打开真空镀膜机的霍尔离子源清洗；S4，在镜片的第一面，按照ZnS、Ge、YbF3和Y2O3四种膜料构成的九层膜系，顺序镀制各膜层，各膜层均离子源辅助沉积，各膜层在腔体温度为150°C的温度下完成沉积；S5，镜片的第一面镀制膜系完成后，腔体自然降温冷却至80°C以下，将工装夹具连同镜片取出；S7，重复步骤S1至步骤S6，镜片的第二面镀制相同的膜系。陪镀片连同两面的膜系在2‑5μm透过率平均小于30%在7.5‑14μm透过率平均大于95%。

本发明授权锗双波段增透膜膜系的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗增透膜膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1，将作为镜片的锗基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，其中，陪镀片和产品均为锗，且陪镀片和产品统称为镜片； S2，将处理好的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，腔体的温度设定为150°C； S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1.5×10-3Pa，打开真空镀膜机的霍尔离子源进行清洗，清洗时间为6min，霍尔离子源的参数为：阳极电压为220V、阳极电流为1.2A、中和电流为1.5A、中和气流量为10sccm、氩气流量占比为100%； S4，在镜片的第一面，按照ZnS、Ge、YbF3和Y2O3四种膜料构成的九层的膜系 149nmZnS175.6nmGe488.4nmZnS107.8nmGe120nmZnS1150nmYbF3182.5nmZnS100nmYbF310nmY2O3，顺序镀制各膜层， 其中，ZnS、Ge、YbF3和Y2O3前的带有nm的数字为对应膜层的膜厚，ZnS和YbF3膜层采用电阻加热蒸发，Ge膜层和Y2O3膜层采用电子束加热蒸发，ZnS膜层的沉积速率为0.6nms，Ge膜层沉积速率为0.4nms，YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，Y2O3膜层的沉积速率为0.6nms，各膜层均采用离子源辅助沉积，各膜层在腔体温度为150°C的温度下完成沉积； S5，在镜片的第一面镀制膜系完成后，腔体自然降温冷却至80°C以下，将工装夹具连同镜片取出； S7，重复步骤S1至步骤S6，在镜片的第二面镀制相同的膜系。

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