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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种离子迁移谱中BN型离子门的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631740.5，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种离子迁移谱中BN型离子门的控制方法是由李海洋;杨其穆;陈创;徐一仟;潘慢慢;蒋丹丹设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子迁移谱中BN型离子门的控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种调控离子迁移谱中Bradbury‑Nielsen型离子门的新方法。该方法通过改变离子门的控制电压，实现了Bradbury‑Nielsen型离子门两方面性能的提升。其一是通过提升离子门关门时两组栅丝之间的电压差，使得离子迁移谱电离区中的离子受到非均匀电场的影响实现空间密度的压缩，提升离子迁移谱的灵敏度；其二是通过对Bradbury‑Nielsen型离子门两组栅丝的电压配合控制，降低离子门关闭时的清空区对于不同迁移率离子的损耗，使得对迁移率歧视减小，充分利用富集过的离子提升仪器的灵敏度。

本发明授权一种离子迁移谱中BN型离子门的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种离子迁移谱中BN型离子门的控制方法，所述的离子迁移谱包括离子迁移管，离子迁移管包括沿离子迁移方向依次设置的电离源4、电离区6、Bradbury-Nielsen型离子门8、迁移区7和离子接收极5；其特征在于： 所述Bradbury-Nielsen型离子门8由4个以上条状电极从上至下平行间隔设置构成，从上至下，奇数的条状电极作为第一门电极8-1，偶数的条状电极作为第二门电极8-2；或，由同几何中心的环状电极同几何中心从内至外间隔设置构成；从内至外，奇数的环状电极作为第一门电极8-1，偶数的环状电极作为第二门电极8-2； 第一门电极8-1与第二门电极8-2分别和独立的脉冲直流高压电源相连；并且第一门电极8-1和第二门电极8-2相互绝缘； 按第一预设时段t1、第二预设时段t2和第三预设时段t3依次向第一门电极8-1和第二门电极8-2上施加脉冲电压； 在第一预设时段t1内，同时在第一门电极8-1和第二门电极8-2上施加第一电压V1，从而在离子迁移管内产生一个直流电场，该电场的方向是从离子源指向离子接收极；在此作用下，电离区内产生的离子通过离子门进入迁移区域； 在第二预设时段t2内，第一门电极8-1、第二门电极8-2上同时施加高于第一电压V1的第二电压V2，在离子迁移管的电离区内形成沿离子门指向离子源方向的直流电场，电离区中的离子向着离子源方向运动，在离子迁移管的迁移区内形成沿离子门指向离子接收极方向的直流电场，进入迁移区中的离子向着离子接收极运动； 在第三预设时段t3内，第一门电极8-1保持第二预设时段t2内高于第一电压的第二电压V2，而第二门电极8-2施加的电压则回到第一电压V1；在离子迁移管电离区中形成一个从离子源指向离子门的直流电场，促使电离区内的离子向离子门方向移动；同时，在第一门电极8-1与第二门电极8-2之间，产生了一个垂直于离子迁移管轴线的电场，这个电场有效阻止了电离区中的离子通过离子门进入迁移区；在迁移区内则形成一个从离子门指向离子接收极直流电场，在这个电场的作用下，迁移区中的离子会依次到达离子接收极并被检测出来； 第一预设时段t1的值介于0.001ms-1ms之间，第二预设时段t2的值介于0.001ms-1ms之间，第三预设时段t3的值介于1ms-50ms之间，以第一预设时段t1、第二预设时段t2和第三预设时段t3的加和构成离子门工作的一个完整周期； 第一电压V1为离子迁移管的位置电压，第二电压V2与第一电压V1之差在10-700V之间，且V2﹥V1。

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