电子科技大学孙沛彧获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879417.X，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器是由孙沛彧;曹世辰;刘志军设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器，属于光电子器件技术领域，包括底部金属层、中间介质导波层和表面金属层，底部金属层、中间介质导波层和表面金属层由下至上，依次沉积，所述底部金属层为Cu衬底；中间介质导波层包括ZnSe介质层和GST薄膜层，GST薄膜层沉积在ZnSe介质层的上方，ZnSe介质层沉积在Cu衬底上方，表面金属层为Au光栅条，Au光栅条沉积在GST薄膜层的上方，通过顶部Au光栅条将沿y轴方向的入射TE偏振光耦合进波导，使得ZnSe介质层和GST薄膜层的波导模式被激发。通过上述方式，本发明显著提高了基于导模共振光栅结构的红外辐射器件的调谐性能，并且具有低功耗和易于制备的优点。
本发明授权一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于GST材料的导模共振类红外辐射调制器，其特征在于：包括底部金属层、中间介质导波层和表面金属层，底部金属层、中间介质导波层和表面金属层由下至上，依次沉积； 中间介质导波层包括ZnSe介质层和GST薄膜层，GST薄膜层沉积在ZnSe介质层的上方，ZnSe介质层沉积在底部金属层的上方； ZnSe介质层和GST薄膜层为波导核心； 表面金属层为Au光栅条，Au光栅条沉积在GST薄膜层的上方； GST薄膜层为相变材料层，GST薄膜层在a1摄氏度的温度下加热t1分钟，由非晶态转化为结晶态； 通过顶部Au光栅条将沿y轴方向的入射TE偏振光耦合进波导，所述y轴方向为平行于光栅条的长度方向，使得ZnSe介质层和GST薄膜层的波导模式被激发。
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