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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411643748.3，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法是由唐克超;周粤佳;黄如设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法，属于微纳电子学技术领域。本发明方法针对1T结构的多级存储铁电场效应晶体管阵列，提出自补偿写入方法，采用自补偿波形的脉冲序列进行写入，分别对应多级存储中不同的存储状态，高于中间存储状态采用正脉冲写入，低于中间存储状态采用负脉冲写入，并对FeFET存储单元写后的状态进行读验证，当发现写入错误时，启动错误校正程序进行修正，以达到目标状态，若错误校正程序失败，则启动耐久恢复程序，恢复FeFET存储器件性能；本发明同时解决了器件与器件之间和循环之间涨落大、耐久性有限以及写入串扰严重的可靠性问题，具有流程简洁、硬件开销小等优点，并且与当前先进结点CMOS技术兼容，易于实现。

本发明授权一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法在权利要求书中公布了：1.一种FeFET阵列的写入方法，FeFET阵列由FeFET存储单元、字线、位线和源线组成1T结构的多级存储阵列，同一行的FeFET存储单元共享相同的字线，同一列的FeFET存储单元共享相同的位线和源线，其特征在于，在FeFET阵列的写入过程中，采用自补偿波形的正负电压脉冲交替的脉冲序列进行写入，对FeFET存储单元写后的状态进行读验证，当发现写入错误时，启动错误校正程序进行修正，以达到目标状态，若错误校正程序失败，则启动耐久恢复程序，恢复FeFET存储器件性能；方法包括以下步骤： 1对FeFET阵列进行初始化，将每个FeFET存储单元设定成中间存储状态； 2采用自补偿波形的脉冲序列，对FeFET阵列进行逐行写入，所述自补偿波形的脉冲序列为正负电压脉冲交替的脉冲序列，其相邻正负电压脉冲的幅值的绝对值基本相等； 在进行每一行的写入时，采用所述自补偿波形的脉冲序列，即正负电压脉冲交替进行写入，分别对应多级存储中不同的存储状态，比中间存储状态高的存储状态采用正脉冲写入，而比中间存储状态低的存储状态采用负脉冲进行写入；写入时的顺序为：先写入最高存储状态即正脉冲，然后写入最低存储状态即负脉冲，接着写入次高存储状态即正脉冲，再写入次低存储状态即负脉冲，随后写入第三高存储状态即正脉冲，接着写入第三低存储状态即负脉冲，依次写入高低不同的存储状态。

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