南京航空航天大学史天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种基于低通滤波技术同轴型大功率EMI滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411702084.3，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种基于低通滤波技术同轴型大功率EMI滤波器是由史天宇;刘少斌设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于低通滤波技术同轴型大功率EMI滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于低通滤波技术的同轴型大功率EMI滤波器，包括同轴设置的内导体和外导体，以及填充在内导体和外导体间的绝缘介质层，内导体包括中心导体及与中心导体连接且同轴设置的若干电磁带隙结构；内、外导体及其之间介质构成传输线，包括高特性阻抗传输线和低特性阻抗传输线；组成阻抗变换低通滤波网络的N段高、低阻抗传输线呈间隔排列。本发明通过内外导体同轴设置、加载电磁带隙结构、填充绝缘介质等方式压缩滤波器尺寸并进一步提升其滤波性能，具有体积小，高频抗干扰能力强和抗高功率微波干扰的优点。
本发明授权一种基于低通滤波技术同轴型大功率EMI滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于低通滤波技术同轴型大功率EMI滤波器，其特征在于，包括同轴设置的内导体1和外导体2，填充在内导体1和外导体2间的绝缘介质层，内导体1包括中心导体及与中心导体连接且同轴设置的若干电磁带隙结构，若干电磁带隙结构的纵截面为蘑菇钉型，绝缘介质层包括高介电常数介质3和绝缘涂层4，所述高介电常数介质3填充于内导体1和外导体2之间，绝缘涂层4为安全厚度抗高压涂层，涂覆于内导体1中心导体表面，并覆盖若干电磁带隙结构表面。
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