上海交通大学吴侃获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种基于薄膜铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119765008B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411990295.1,技术领域涉及:H01S5/026;该发明授权一种基于薄膜铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器是由吴侃;陈建平设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于薄膜铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器在说明书摘要公布了:一种基于铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器,通过将增益芯片与铌酸锂芯片形成外腔激光器,并利用铌酸锂的线性电光效应实现对腔长的线性改变,从而产生线性扫频激光,在铌酸锂芯片的输出端之后接入铌酸锂声光移频器,并在声光移频器的输出端设置反射镜,使光信号两次经过声光移频器,从而获得总移频量2Δf。这一移频后的信号被注入到激光器中形成反馈,有效提升了扫频线性度和抑制了随机噪声。通过调整扫频斜率γ、移频量2Δf以及反馈信号经历的路径总延时T之间的关系,满足γ=2ΔfT。本发明的激光器具有高精度、高稳定性和优良的线性扫频性能,适用于各种需要高精度线性扫频光源的应用场景。
本发明授权一种基于薄膜铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器在权利要求书中公布了:1.一种基于薄膜铌酸锂的反馈式集成线性扫频激光器,其特征在于,包括: 增益芯片,是具有两个端面的半导体增益芯片RSOA,其中一个端面镀有高反膜,另一个端面镀有增透膜; 铌酸锂芯片,上层为铌酸锂薄膜,下层为下包层,在所述铌酸锂薄膜上沿光信号传播方向依次制备有模斑转换器、电光移相器、选频滤波器、部分反射镜、耦合器、声光移频器和全反射镜;其中, 所述模斑转换器为二端口器件,一端与所述增益芯片镀有增透膜的一端的输出波导相耦合,其模斑尺寸与所述增益芯片端面模斑尺寸相匹配,另一端为铌酸锂单模波导,两端之间通过拉锥波导实现模斑尺寸的绝热转换; 所述电光移相器,用于对光信号进行移相,以实现对腔长的线性改变,产生线性扫频激光; 所述选频滤波器,用于选出所需的激光发射频率,其带宽应覆盖扫频激光所需的扫频范围; 所述部分反射镜,作为外腔激光器的输出反射镜,与所述增益芯片和所述模斑转换器、电光移相器、选频滤波器共同构成一个外腔激光器; 所述耦合器,为2x2定向耦合器,用于将所述外腔激光器的输出分为两部分,其中大部分光直接输出,小部分光与所述声光移频器和全反射镜形成反馈支路; 所述声光移频器,为二端口器件,当光信号从其一个端口输入并从另一个端口输出时,会获得Δf的移频,且无论从哪个端口输入,输出信号都会获得Δf的移频; 全反射镜,将经过所述声光移频器移频后的光信号全部原路返回,形成反馈信号; 所述反馈信号再次通过声光移频器,共获得2Δf的移频后,通过耦合器注入到所述外腔激光器中,形成反馈;当满足条件γ=2ΔfT时,所述反馈信号会对激光器形成注入锁定,其中γ是扫频激光器的扫频斜率,单位Hzs,2Δf是反馈信号总移频量,T是反馈信号经历的路径总延时。
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