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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种相变光子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120295008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510642759.8，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种相变光子器件及其制备方法是由宋兵;李清江;张亨宇;徐晖;王义楠;刘森;王伟;刘海军;曹荣荣;陈长林;李智炜;于红旗;王玺;刘昌设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种相变光子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种相变光子器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请中相变光子器件的制备方法为：制备一脊型硅波导；并在脊型硅波导表面制备相变材料层；随后按照阶段顺序，利用激光器逐脉冲照射阶段输出不同能量值的短脉冲，依次对初始的相变光子器件的表面进行照射，以使相变材料层按照阶段顺序逐级降温，并在逐级降温过程中调整相变材料层的微观结构，改变相变光子突触权重，得到最终的相变光子器件。基于此，本申请利用多阶段组合脉冲逐脉冲照射阶段依次照射脊型硅波导上的相变材料层，使得相变材料层按照阶段顺序逐级降温，并在逐级降温过程中调整相变材料层的微观结构，改变相变光子突触权重。

本发明授权一种相变光子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变光子器件的制备方法，其特征在于，针对任一相变光子器件，所述制备方法包括以下步骤： 制备一脊型硅波导； 在所述脊型硅波导表面制备相变材料层，得到初始的相变光子器件；其中，所述相变材料层覆盖所述脊型硅波导； 按照阶段顺序，利用激光器逐脉冲照射阶段输出不同能量值的短脉冲，依次对所述初始的相变光子器件的表面进行照射，以使所述相变材料层按照阶段顺序逐级降温，并在逐级降温过程中调整所述相变材料层的微观结构，改变相变光子突触权重，得到最终的相变光子器件； 其中，各所述脉冲照射阶段对应的时间长度不同； 针对任一所述脉冲照射阶段，所述利用激光器逐脉冲照射阶段输出不同能量值的短脉冲，依次对所述初始的相变光子器件的表面进行照射的步骤包括： 在当前脉冲照射阶段中，利用所述激光器从所述初始的相变光子器件上方对所述相变材料层按照第一预设时间间隔依次施加多个能量相同的短脉冲； 其中，逐阶段顺序，各所述脉冲照射阶段对应的能量逐渐降低。

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