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合肥安德科铭半导体科技有限公司刘宇获国家专利权

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龙图腾网获悉合肥安德科铭半导体科技有限公司申请的专利一种四(二甲胺基)铪的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120590428B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511083955.2,技术领域涉及:C07F7/00;该发明授权一种四(二甲胺基)铪的制备方法是由刘宇;伍凡;代明生;李建恒;张学奇;唐超设计研发完成,并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

一种四(二甲胺基)铪的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种四二甲胺基铪的制备方法,属于ⅣB族金属有机化合物制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:S1、对四二甲胺基铪粗品一次精馏,收集一次主馏份;S2、溶解一次主馏份,重结晶得到晶体;S3、溶解晶体进行二次精馏,收集二次主馏份即可。所述四二甲胺基铪粗品来源于环戊二烯基三二甲胺基铪生产过程的废液,粗品中包含≤8.0ppm的Fe、≤1.0ppm的Ti;本申请通过优化精馏、重结晶参数等关键参数实现CpHf合成废液中TDMAHf产品的6N级99.9999%以上超高纯度回收,回收产品完全满足半导体薄膜沉积等高端领域对金属前驱体的严苛要求;制备方法工艺周期短,处理效率高且不会引入其他杂质,可实现工业化应用。

本发明授权一种四(二甲胺基)铪的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种四二甲胺基铪的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、对四二甲胺基铪粗品一次精馏,精馏温度为80-100℃,压力为0.3-1.0mbar,收集一次主馏份;其中,前馏份占粗品质量的5-15%,一次主馏份占粗品质量的60-90%,一次主馏份的收集速度为35-60dmin; S2、使用溶剂溶解一次主馏份,置于-20~15℃下重结晶,得到晶体;溶剂选用烷烃类溶剂; S3、溶解S2的晶体进行二次精馏,精馏温度为80-100℃,压力为0.4-1.2mbar,收集二次主馏份即可; 所述四二甲胺基铪粗品中包含≤8.0ppm的Fe、≤1.0ppm的Ti; 精馏柱内负载有填料,填料包括玻璃弹簧填料和不锈钢三角螺旋填料;玻璃弹簧填料填充至精馏柱顶端部位,填充长度占精馏柱柱高的120-15。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥安德科铭半导体科技有限公司,其通讯地址为:230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园1号楼C区4层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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