上海芯东来半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯东来半导体科技有限公司申请的专利一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120595546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511106929.7，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法，涉及光刻机技术领域，用于解决当前光刻机掩膜版对准精度不准确问题；该方法首先通过采集掩膜版与晶圆组合的图像数据，并对图像进行噪声去除和归一化处理。接着，通过区域划分、物理特性分析和多因子融合算法计算各子区域的动态系数，将提取的特征数据与动态系数序列化后输入Transformer模型，进行自注意力机制处理，输出掩膜版与晶圆的对准偏差预测值。最后，根据偏差预测值，采用自适应步进电机控制策略动态调整掩膜版位置和角度，精确补偿平移与旋转误差。该方法能够实时、精准地调整光刻机掩膜版位置，提高光刻精度和生产效率。
本发明授权一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法，其特征在于；包括： 步骤1：采集掩膜版与晶圆组合的图像数据并进行去噪、归一化和数据增强，生成归一化的距离与角度标签； 步骤2：将图像划分为多个子区域，结合物理特性数据计算动态系数并提取特征，输入Transformer模型进行全局特征回归，输出距离偏差和角度偏差； 步骤3：根据预测的距离偏差和角度偏差调整掩膜版位置和角度，通过步进电机补偿并在FPGA上实现低延迟实时推理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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