合肥微芸半导体科技有限公司王松满获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥微芸半导体科技有限公司申请的专利改善等离子刻蚀均匀性的接地环获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223471565U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422554426.3，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型改善等离子刻蚀均匀性的接地环是由王松满设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善等离子刻蚀均匀性的接地环在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体刻蚀工艺设备技术领域，尤其为改善等离子刻蚀均匀性的接地环，包括反应腔，反应腔由腔室壁、静电吸盘、射频功率源、气泵、绝缘窗口和线圈等组成部分，腔室壁的顶部设置有ESC和接地环组件，ESC和接地环组件的顶部和陶瓷windows抵接，陶瓷windows的顶部设置有离子源射频电感线圈，离子源射频电感线圈的中心处设置有Gasnozzle，Gasnozzle的底部和陶瓷windows固定连接，ESC和接地环组件由ESC和接地环两部分组成，接地环位于ESC的外部，通过设置不同介质的接地环，更换不同介质的导电接地环盖板，可以改善ESC表面的鞘层边缘范围的大小，从而改善位于ESC顶部的待处理晶片的ER均匀性，进而提升刻蚀产品的整体质量。
本实用新型改善等离子刻蚀均匀性的接地环在权利要求书中公布了：1.改善等离子刻蚀均匀性的接地环，包括反应腔，其特征在于：所述反应腔由腔室壁1、静电吸盘、射频功率源、气泵、绝缘窗口和线圈等组成部分，所述腔室壁1的顶部设置有ESC和接地环组件2，所述ESC和接地环组件2的顶部和陶瓷windows3抵接，所述陶瓷windows3的顶部设置有离子源射频电感线圈4，所述离子源射频电感线圈4的中心处设置有Gasnozzle5，所述Gasnozzle5的底部和陶瓷windows3固定连接，所述ESC和接地环组件2由ESC和接地环两部分组成，所述接地环位于ESC的外部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥微芸半导体科技有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市中国(安徽)自由贸易试验区合肥片区经济技术开发区块临湖社区锦绣大道6155号中德合作创新园2号楼4层430-1室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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