英特尔公司K·恩斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利抗老化装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110800214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880043078.8，技术领域涉及：H03K19/00；该发明授权抗老化装置是由K·恩斯;D·内达尔格;V·德什潘德;L·海斯;A·K·斯里瓦斯塔瓦设计研发完成，并于2018-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗老化装置在说明书摘要公布了：提供了一种装置，该装置包括：相同导电类型的晶体管的堆叠，该堆叠包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管串联耦合并具有公共节点；和相同导电类型的反馈晶体管，耦合到该公共节点和该堆叠中的第一晶体管的栅极端子。
本发明授权抗老化装置在权利要求书中公布了：1.一种用于抗老化的装置，所述装置包括： 相同导电类型的晶体管的堆叠，所述堆叠包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管串联耦合并具有公共节点；和 相同导电类型的反馈晶体管，耦合到所述公共节点和所述堆叠中的第一晶体管的栅极端子， 其中，所述反馈晶体管的源极端子和漏极端子中的一个耦合到所述第一晶体管的栅极端子，所述反馈晶体管的源极端子和漏极端子中的另一个耦合到所述公共节点，并且 其中，所述反馈晶体管的栅极端子耦合到所述第一晶体管的源极端子和漏极端子中的一个。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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