三星电子株式会社尹俊浩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910736321.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件是由尹俊浩;金润圣;金尹熙;裴秉文;沈贤洙;崔仲浩设计研发完成，并于2019-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：衬底，其包括半导体芯片区域和围绕所述半导体芯片区域的划线区域；绝缘膜，其设置在所述衬底上的所述半导体芯片区域和所述划线区域上方，并且包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对并连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及开口部分，其形成在所述绝缘膜的所述第二表面和所述绝缘膜的所述第四表面上以暴露所述衬底，其中，所述开口部分形成在所述划线区域中，并且其中所述绝缘膜的所述第一表面和所述绝缘膜的所述第三表面不包括暴露所述衬底的开口部分。
本发明授权半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其包括半导体芯片区域和围绕所述半导体芯片区域的划线区域； 绝缘膜，其设置在所述衬底上的所述半导体芯片区域和所述划线区域上方，并且包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面以及与所述第三表面相对并连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及 开口部分，其形成在所述绝缘膜的所述第二表面和所述绝缘膜的所述第四表面上以暴露所述衬底， 其中，所述开口部分形成在所述划线区域中，并且 其中，所述绝缘膜的所述第一表面和所述绝缘膜的所述第三表面不包括暴露所述衬底的开口部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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