三星电子株式会社李大硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910481256.1，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体芯片及其制造方法是由李大硕;李学承;林东灿;金泰成;文光辰设计研发完成，并于2019-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。
本发明授权半导体芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，包括： 衬底； 层间绝缘层，包含 底部层间绝缘层，位于所述衬底的上表面上，以及 顶部层间绝缘层，位于所述底部层间绝缘层上； 蚀刻终止层，位于所述底部层间绝缘层与所述顶部层间绝缘层之间； 接地焊盘，位于所述层间绝缘层上，所述接地焊盘包括接地焊盘金属层和接地焊盘势垒层，所述接地焊盘势垒层包围所述接地焊盘金属层的上表面和所述接地焊盘金属层的侧表面，所述接地焊盘势垒层至少部分位于所述接地焊盘金属层和所述顶部层间绝缘层之间；以及 贯通孔，经由所述衬底、所述层间绝缘层以及所述蚀刻终止层连接到所述接地焊盘， 其中所述蚀刻终止层经隔离以免与所述接地焊盘直接接触， 其中所述贯通孔在整个贯通孔洞中延伸，所述贯通孔洞暴露所述接地焊盘势垒层、所述接地焊盘金属层的上表面和所述接地焊盘金属层的内侧壁，所述贯通孔延伸穿过所述接地焊盘势垒层并直接接触所述接地焊盘金属层，并且所述贯通孔的侧壁直接接触所述接地焊盘金属层的内侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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