三星电子株式会社李庚旼获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110910932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910846983.3，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法是由李庚旼;郑铉成设计研发完成，并于2019-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法在说明书摘要公布了：可以提供一种存储器装置，其包括可变电阻存储器单元，所述可变电阻存储器单元包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，可变电阻元件的第一端连接到位线，可变电阻元件的第二端、第一单元晶体管的第一端和第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，第一单元晶体管的第二端和第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并被配置为在第二写入操作中将字线和子字线彼此连接。
本发明授权执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 可变电阻存储器单元，其包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，所述可变电阻元件的第一端连接到位线，所述可变电阻元件的第二端、所述第一单元晶体管的第一端和所述第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，所述第一单元晶体管的第二端和所述第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和 字线控制电路，其被配置为在位线写入操作中将连接到所述第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到所述第一单元晶体管的栅电极的字线分离，使得所述第二单元晶体管断开并且仅所述第一单元晶体管导通，并且被配置为在源极线写入操作中将所述字线和所述子字线彼此连接，使得所述第二单元晶体管和所述第一单元晶体管二者都导通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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