三星电子株式会社柳孝俊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括虚设图案的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010098442.X，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权包括虚设图案的半导体装置是由柳孝俊;姜淇允;姜书求;姜信焕;文齐琡;朴昞坤;沈在龙;林珍洙;千志成;韩智勋设计研发完成，并于2020-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括虚设图案的半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区、外围区和边界区；堆叠结构，位于单元区上并包括交替地堆叠的绝缘层和互连层；模制层，位于外围区和边界区上；选择线隔离图案，延伸到堆叠结构中；单元沟道结构，穿过堆叠结构；第一虚设图案，延伸到外围区上的模制层中，其中，第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面是共面的，并且第一虚设图案中的至少一个从第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底平行于选择线隔离图案或单元沟道结构延伸。
本发明授权包括虚设图案的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，具有单元区、外围区以及在单元区与外围区之间的边界区； 堆叠结构，位于基底的单元区上，堆叠结构包括交替地堆叠的多个绝缘层和多个互连层； 模制层，位于基底的外围区和边界区上； 选择线隔离图案，延伸到堆叠结构中； 单元沟道结构，穿过堆叠结构；以及 多个第一虚设图案，延伸到外围区上的模制层中， 其中，所述多个第一虚设图案包括：第一虚设沟道结构，第一虚设沟道结构从所述多个第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底基本上平行于单元沟道结构延伸， 其中：所述多个第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面基本上共面， 其中，堆叠结构包括：下堆叠结构，包括交替地堆叠的多个下绝缘层和多个下互连层；以及上堆叠结构，位于下堆叠结构上并包括交替地堆叠的多个上绝缘层和多个上互连层， 其中，第一虚设沟道结构的下端处于与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的水平处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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