意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体有限公司L·埃拉尔获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体有限公司申请的专利使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010687442.3，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备是由L·埃拉尔;D·帕克;D·加尼设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备。本公开提供了设备和方法，其中半导体芯片具有减少的尺寸和厚度。通过利用牺牲性或牺牲硅晶片来制造设备。在牺牲硅晶片中形成凹进，其中半导体芯片被安装在凹进中。在牺牲硅晶片与芯片之间的空间被利用底层填充材料填充。使用任何适当的蚀刻处理，牺牲硅晶片和芯片的背侧被蚀刻，直至牺牲硅晶片被移除，并且芯片的厚度被减少。利用该处理，在一些实施例中，半导体芯片的整体尺寸可以被变薄到小于50μm。该超薄半导体芯片可以被并入制造柔性可卷曲显示面板、可折叠移动设备、可穿戴显示器、或任何其他电气或电子设备中。
本发明授权使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，包括： 电路板，具有第一表面； 芯片，在所述电路板的所述第一表面上，所述芯片具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 多个焊料球，被电耦合到所述电路板和所述芯片的所述第一侧，所述多个焊料球被彼此间隔；以及 底层填充材料，接触所述电路板、所述芯片和所述焊料球，所述底层填充材料具有与所述电路板的所述第一表面相对的第二表面，和横向于所述第二表面的侧壁； 所述底层填充材料的外边缘；以及 所述电路板的侧边缘，所述底层填充材料的所述外边缘相对于所述电路板的所述侧边缘被定位于内部，所述电路板的所述第一表面在所述底层填充材料的所述侧壁和所述电路板的所述侧边缘之间被暴露； 其中所述芯片的所述第二侧和所述底层填充材料的所述第二表面共面， 其中所述底层填充材料的所述侧壁和所述底层填充材料的所述第二表面彼此垂直。
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