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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储装置的操作方法和存储系统的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112306400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010757922.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权存储装置的操作方法和存储系统的操作方法是由丁相元;柳辰秀;曹贤圭设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置的操作方法和存储系统的操作方法在说明书摘要公布了：一种存储装置的操作方法，该存储装置被配置为通过接口通道与外部装置通信，该存储装置的操作方法包括：从外部装置接收多个限制水平中的第一限制水平的指示符；基于包括多个限制水平与多个限制性能之间的关系的限制预定表PDT设置第一操作参数，使得接口通道具有多个限制性能之中的第一限制性能，第一限制性能对应于第一限制水平；通过具有第一限制性能的接口通道从外部装置接收第一输入输出IO请求，其中通过设置第一操作参数而导致第一限制性能；以及通过具有第一限制性能的接口通道处理对应于第一IO请求的第一操作。

本发明授权存储装置的操作方法和存储系统的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置的操作方法，所述存储装置被配置为通过接口通道与外部装置通信，所述方法包括： 从所述外部装置接收多个限制水平中的第一限制水平的指示符； 基于包括所述多个限制水平与多个限制性能之间的关系的限制预定表设置第一操作参数，使得所述接口通道具有所述多个限制性能之中的第一限制性能，所述第一限制性能对应于所述第一限制水平； 通过具有所述第一限制性能的所述接口通道从所述外部装置接收第一输入输出请求，其中通过设置所述第一操作参数而导致所述第一限制性能；以及 通过具有所述第一限制性能的所述接口通道处理对应于所述第一输入输出请求的第一操作， 其中，所述方法还包括： 从所述外部装置接收所述多个限制水平中的第二限制水平的指示符； 基于所述限制预定表重设所述第一操作参数，使得所述接口通道具有所述多个限制性能之中的第二限制性能，所述第二限制性能对应于所述第二限制水平； 通过具有所述第二限制性能的所述接口通道从所述外部装置接收第二输入输出请求，其中通过重设所述第一操作参数而导致所述第二限制性能；以及 通过具有所述第二限制性能的所述接口通道处理对应于所述第二输入输出请求的第二操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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