日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110142977.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体封装结构，包括：封装件，包括位于封装件内的芯片；热电制冷片，位于封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及复数个连接件，连接封装件与热电制冷片，其中，热电制冷片具有位于对应芯片的位置处的第一部分，第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的散热性。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 封装件，包括位于所述封装件内的芯片； 热电制冷片，位于所述封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及 复数个连接件，连接所述封装件与所述热电制冷片， 其中，所述热电制冷片具有位于对应所述芯片的位置处的第一部分，所述第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量， 其中，所述热电制冷片由介电层和再分布线交互堆叠而成，所述通孔设置在堆叠的所述再分布线之间以电连接多层所述再分布线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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