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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011374904.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权碳化硅半导体装置的制造方法是由小岛贵仁;大瀬直之设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供碳化硅半导体装置的制造方法，该碳化硅半导体装置是混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管，该碳化硅半导体装置的制造方法能够维持SBD结构的低的正向电压，且提高浪涌电流耐量。通过低温度和高温度这2次的热处理使金属材料膜52和半导体基板30反应，在氧化膜51自对准地形成镍硅化物膜33，该金属材料膜52依次层叠有与在氧化膜51的开口部51a、51b分别露出的p型区13和FLR21的整个连接区域20a部分接触的第一镍膜58、铝膜53和第二镍膜54。

本发明授权碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括： 第一工序，在包含碳化硅的半导体基板的内部形成构成所述半导体基板的第一主面的第一导电型区； 第二工序，在所述第一导电型区的位于所述半导体基板的第一主面侧的表面区域选择性地形成第一个第二导电型区； 第三工序，在所述半导体基板的第一主面形成覆盖所述第一导电型区和所述第一个第二导电型区的氧化膜； 第四工序，选择性地除去所述氧化膜，而在所述氧化膜形成露出所述第一个第二导电型区的第一开口部； 第五工序，在所述氧化膜的所述第一开口部依次层叠与所述半导体基板的第一主面接触的第一镍膜、铝膜、熔点比铝的熔点高的金属膜来形成金属材料膜； 第六工序，通过第一热处理使所述金属材料膜与所述半导体基板反应，而在所述半导体基板的位于所述氧化膜的所述第一开口部中的第一主面上，以所述氧化膜为掩模，自对准地生成化合物层； 第七工序，在所述第六工序之后，除去所述金属材料膜的除了所述化合物层以外的剩余部分； 第八工序，在所述第七工序之后，通过温度比所述第一热处理的温度高的第二热处理，在所述化合物层的内部生成镍硅化物，而形成与所述半导体基板欧姆接合的镍硅化物膜； 第九工序，在所述第八工序之后，除去被所述镍硅化物膜所夹的所述氧化膜，而形成将所有的所述第一开口部连接而成的接触孔； 第十工序，在所述接触孔的内部，在所述半导体基板的第一主面上依次层叠与所述第一导电型区接触并与所述第一导电型区进行肖特基接合的钛膜和包含铝的金属电极膜来形成第一电极；以及 第十一工序，在所述半导体基板的第二主面形成第二电极。

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