意法半导体(鲁塞)公司F·塔耶获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利过电压保护获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113285617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110156293.2，技术领域涉及：H02M7/219；该发明授权过电压保护是由F·塔耶设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本过电压保护在说明书摘要公布了：本公开的实施例公开了过电压保护。本公开涉及一种包括整流桥的设备，整流桥包括：一分支，连接在第一节点和第二节点之间；另一分支，包括串联连接在第一节点和第二节点之间并使其源极耦合在一起的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；一电阻器，将第一晶体管的栅极连接到第二节点；另一电阻器，连接第二晶体管的栅极和第一节点；以及一电路，对于每个晶体管，电路包括分别连接到晶体管的漏极和栅极的第一端子和第二端子，并且被配置为当电路的第一端子和另一电路的第一端子之间的电压大于电路的阈值时电耦合该电路的第一端子和第二端子。
本发明授权过电压保护在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，包括整流桥，所述整流桥包括： 第一分支，连接在所述桥的第一输入节点和第二输入节点之间，并且包括所述桥的第三输出节点； 第二分支，包括串联连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点之间的第一金属氧化物半导体MOS晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的源极被耦合到所述桥的第四输出节点； 第一电阻器，连接在所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二输入节点之间； 第二电阻器，连接在所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第一输入节点之间；以及 电路，对于所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管中的每个晶体管，与所述晶体管相关联的所述电路包括：第一端子，连接到所述晶体管的漏极；以及第二端子，连接到所述晶体管的所述栅极，其中所述电路被配置为：当所述电路的所述第一端子与另一电路的所述第一端子之间的电压的绝对值大于或等于所述电路的阈值的绝对值、并且所述电压具有与所述阈值相同的符号时，电耦合所述电路的第一端子和第二端子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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