日月光半导体制造股份有限公司陈建汎获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利包含内埋式半导体装置的衬底结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011168001.9，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包含内埋式半导体装置的衬底结构及其制造方法是由陈建汎;廖玉茹设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含内埋式半导体装置的衬底结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种衬底结构。所述衬底结构包含互连结构、所述互连结构上的介电层、内埋于所述介电层中的电子组件，及穿过所述介电层且邻近于所述电子组件而安置的第一导孔。所述互连结构包含具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的载体、安置于所述载体的所述第一表面上的第一导电层，及安置于所述载体的所述第二表面上的第二导电层。所述第一导电层及所述第二导电层中的至少一者、及所述第一导孔界定环绕所述电子组件的第一屏蔽结构。还公开一种制造衬底结构的方法。
本发明授权包含内埋式半导体装置的衬底结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底结构，其包括： 互连结构，其中所述互连结构包含具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的载体、安置于所述载体的所述第一表面上的第一导电层，及安置于所述载体的所述第二表面上的第二导电层； 第一介电层，位于所述互连结构上； 第二介电层，位于所述第一介电层上； 电子组件，内埋于所述第二介电层中；及 第一导孔，穿过所述第一介电层及所述第二介电层且邻近于所述电子组件而安置； 其中所述第一导电层及所述第二导电层中的至少一者、及所述第一导孔界定环绕所述电子组件的第一屏蔽结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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