度亘激光技术(苏州)有限公司杨国文获国家专利权
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龙图腾网获悉度亘激光技术(苏州)有限公司申请的专利半导体激光器的波导结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010216859.1，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权半导体激光器的波导结构是由杨国文;唐松设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器的波导结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体激光器的波导结构，涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。故本申请通过减小刻蚀沟槽的宽度来实现高阶模式的耦合，增大高阶模式的损耗，从而抑制高阶模的激射，保证基模激射的稳定性。
本发明授权半导体激光器的波导结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器的波导结构，其特征在于，包括： 衬底； 下限制层，设置在所述衬底上； 量子阱，设置在所述下限制层上； 上限制层，设置在所述量子阱上；以及 脊形成层，设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括层本体、刻蚀沟槽和脊波导； 通过所述刻蚀沟槽和所述脊波导的折射率对比，形成光场模式；所述刻蚀沟槽的内底面上设有光吸收件，所述光吸收件的宽度小于或者等于所述刻蚀沟槽内底面的宽度； 其中，所述刻蚀沟槽的槽底宽度为2µm，所述脊形成层为重掺杂P型材料制成的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人度亘激光技术(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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