应用材料公司小林悟获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于利用两层式微波空腔来动态控制径向均匀性的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080062451.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于利用两层式微波空腔来动态控制径向均匀性的方法和装置是由小林悟;菅井英夫;D·伊万诺夫;L·斯卡德尔;D·卢博米尔斯基设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于利用两层式微波空腔来动态控制径向均匀性的方法和装置在说明书摘要公布了：方法和装置提供了用于半导体工艺腔室的等离子体产生。在一些实施例中，由系统产生等离子体，所述系统可以包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个上部微波空腔，所述至少两个上部微波空腔通过具有多个辐射狭槽的金属板与下部微波空腔分离；至少一个微波输入端口，所述至少一个微波输入端口连接到所述至少两个上部微波空腔中的第一上部微波空腔；至少两个微波输入端口，所述至少两个微波输入端口连接到所述至少两个上部微波空腔中的第二上部微波空腔；以及下部微波空腔从所述至少两个上部微波空腔中的两者接收通过金属板中的多个辐射狭槽的辐射，下部微波空腔被配置为形成电场，所述电场在工艺腔室的工艺容积中提供均匀的等离子体分布。
本发明授权用于利用两层式微波空腔来动态控制径向均匀性的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种用于产生用于半导体工艺的等离子体的系统，所述系统包括： 工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个上部微波空腔，所述至少两个上部微波空腔通过具有多个辐射狭槽的金属板与下部微波空腔分离； 至少一个微波输入端口，所述至少一个微波输入端口连接到所述至少两个上部微波空腔中的第一上部微波空腔； 至少两个微波输入端口，所述至少两个微波输入端口连接到所述至少两个上部微波空腔中的第二上部微波空腔；以及 所述下部微波空腔从所述至少两个上部微波空腔中的两者接收通过所述金属板中的所述多个辐射狭槽的辐射，所述下部微波空腔被配置为形成电场，所述电场在所述工艺腔室的工艺容积中提供均匀的等离子体分布， 其中所述至少两个上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔激发中心高模式，并且所述至少两个上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔激发边缘高模式。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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