罗伯特·博世有限公司J·巴林豪斯获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060838.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法是由J·巴林豪斯设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法在说明书摘要公布了：在不同的实施例中，提供了一种垂直场效应晶体管100。垂直场效应晶体管100具有带有第一侧和与第一侧对置的第二侧的沟槽结构128。在第一侧上构造场效应晶体管100FET沟道并且第二侧不具有FET沟道。FET沟道具有氮化镓GaN区域和与其邻接的氮化铝镓AlGaN区域110。GaN区域132具有p型导电的第一区106和构造在其上的第二区108。垂直场效应晶体管100还具有源电极130，所述源电极与所述GaN区域132的p型导电的第一区106和所述AlGaN区域110导电连接。
本发明授权垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直场效应晶体管100，所述垂直场效应晶体管具有沟槽结构128和源电极130， 其中，所述沟槽结构具有第一侧和与所述第一侧对置的第二侧， 其中，在所述第一侧上构造场效应晶体管100FET沟道并且所述第二侧不具有场效应晶体管沟道， 其中，所述场效应晶体管沟道具有氮化镓GaN区域和与其邻接的氮化铝镓AlGaN区域110， 其中，所述氮化镓区域132具有p型导电的第一区106和构造在其上的第二区108， 其中，所述源电极与所述氮化镓区域132的p型导电的第一区106和所述氮化铝镓区域110导电连接。
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