桑迪士克科技有限责任公司W·帕金森获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利在读取期间的MRAM中的信号放大获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110665782.0，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权在读取期间的MRAM中的信号放大是由W·帕金森;J·奥图尔;N·富兰克林;T·特伦特设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本在读取期间的MRAM中的信号放大在说明书摘要公布了：本发明题为“在读取期间的MRAM中的信号放大”。本发明描述了用于读取MRAM存储器单元的装置和技术。在交叉点存储器阵列中，每个导线诸如位线或字线连接到晶体管对，该晶体管对包括并联的pMOSFET与nMOSFET。在选择要读取的存储器单元时，可使用该pMOSFET将第一导线的电压上拉同时使用该nMOSFET将第二导线的电压下拉到例如0V。这使该选择器接通时的电容最小化。此外，在读取所选择的存储器单元时，该第一导线的该并联nMOSFET可接通同时该pMOSFET断开。nMOSFET提供较高的电阻来代替pMOSFET的减小的电阻，以放大感测电路处的信号，从而允许准确感测存储器单元两端的电压。
本发明授权在读取期间的MRAM中的信号放大在权利要求书中公布了：1.一种用于对存储器单元进行读取的装置，包括： 控制电路，所述控制电路被配置为连接到交叉点存储器阵列，所述交叉点存储器阵列包括存储器单元和第一晶体管对，所述存储器单元布置在第一导线和第二导线之间并且包括与阈值开关选择器串联的存储元件，所述第一晶体管对包括并联的pMOSFET与nMOSFET并且连接到所述第一导线； 所述控制电路被配置为在所述nMOSFET处于非导通状态时利用处于导通状态的所述pMOSFET上拉所述第一导线的电压以选择所述存储器单元用于读取操作；并且 所述控制电路被配置为随后在所述读取操作中在所述pMOSFET处于非导通状态并且所述nMOSFET处于导通状态时读取所述存储器单元。
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