圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司蒙芳获国家专利权
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龙图腾网获悉圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司申请的专利包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体， 以及包括闪烁晶体的辐射检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075658.2，技术领域涉及：G01T1/202；该发明授权包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体， 以及包括闪烁晶体的辐射检测装置是由蒙芳;彼得·R·门格设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体， 以及包括闪烁晶体的辐射检测装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪烁晶体，所述闪烁晶体可包括共掺杂有铊和另一种元素的卤化铯。在一个实施例中，所述闪烁晶体可包括CsX:Tl、Me，其中X表示卤素，Me表示掺杂剂，所述掺杂剂选自由铬Cr、锆Zr、钴Co、锰Mn、镉Cd、镝Dy、铥Tm、钽Ta和铒Er组成的组，所述闪烁晶体中的选自由铬Cr、锆Zr、钴Co、锰Mn、镉Cd、镝Dy、铥Tm、钽Ta和铒Er组成的组的元素的掺杂剂浓度在1×10‑7mol％至0.5mol％范围内。在特定实施例中，所述闪烁晶体可具有碘化铯主体材料、包含铊阳离子的第一掺杂剂和包含阳离子的第二掺杂剂。
本发明授权包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体， 以及包括闪烁晶体的辐射检测装置在权利要求书中公布了：1.一种闪烁体晶体，所述闪烁体晶体包括： 碘化铯主体材料； 第一掺杂剂，所述第一掺杂剂包含铊阳离子，所述第一掺杂剂的摩尔浓度低于10％；和 第二掺杂剂，所述第二掺杂剂选自由铬Cr、锆Zr、钴Co、锰Mn、镉Cd、镝Dy、铥Tm、钽Ta和铒Er组成的组，选自由铬Cr、锆Zr、钴Co、锰Mn、镉Cd、镝Dy、铥Tm、钽Ta和铒Er组成的组的元素的所述第二掺杂剂至少部分地处于其3+或2+或4+或5+氧化态，其中所述闪烁体中的所述第二掺杂剂的量在1×10-7mol％和0.1mol％之间，其中相对于在X射线照射期间测量的光输出强度，所述闪烁体晶体在暴露于所述X射线照射后500ms时具有小于0.3％的光输出强度。
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