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龙图腾网获悉中国航天科工集团第二研究院申请的专利VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114638187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210158028.2，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备是由杨静琦;周洁;姜来;马喆;朱云亮;肖柯;王智斌设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统、仿真设备及存储介质。涉及仿真技术领域。将ESD防护加入VDMOS器件的仿真结构中，使得VDMOS应对外界电磁脉冲的自身条件更接近现实，可有效指导VDMOS电磁脉冲防护设计。仿真方法包括：构建模型，模型包括仿真模型和对比模型，仿真模型包括第一VDMOS以及与第一VDMOS电连接的静电防护结构，对比模型包括第二VDMOS；对对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲，并获得脉冲曲线，以仿真第二VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系；对对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真，确定电磁脉冲阈值。对仿真模型所包括的电极施加电流脉冲，获得脉冲曲线，以仿真第一VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系。

本发明授权VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 构建模型，所述模型包括仿真模型和对比模型，所述仿真模型包括第一VDMOS以及与所述第一VDMOS电连接的静电防护结构，所述对比模型包括第二VDMOS， 其中， 所述静电防护结构包括两个串接在一起的第一二极管和第二二极管；所述第一二极管和第二二极管的连接处与VDMOS所具有的栅极电连接，同时，所述连接处外接电极，所述电极用于接收电磁脉冲；所述第一二极管的正极与所述VDMOS所具有的源极电连接，所述第二二极管的负极与所述VDMOS所具有的漏极电连接； 对所述对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲，并获得脉冲曲线，以仿真所述第二VDMOS栅氧层峰值电场与所述电磁脉冲的关系，包括： 所述第二VDMOS具有开启状态和关闭状态，分别获得开启状态和关闭状态下的第二VDMOS栅氧层峰值电场在电磁脉冲作用下随时间的变化曲线， 获取所述第二VDMOS在开启状态下的栅氧层电场峰值，获取所述第二VDMOS在关闭状态下的栅氧层电场峰值， 基于开启状态下的所述栅氧层电场峰值获取开启状态下MAXElectricfield-Vpulse曲线，用于表征开启状态下，所述第二VDMOS栅氧层峰值电场与所述电磁脉冲的关系， 基于关闭状态下的所述栅氧层电场峰值获取关闭状态下MAXElectricfield-Vpulse曲线；用于表征关闭状态下，所述第二VDMOS栅氧层峰值电场与所述电磁脉冲的关系； 对所述对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真，确定电磁脉冲阈值； 对所述仿真模型所包括的电极施加电流脉冲，获得脉冲曲线，以仿真所述第一VDMOS栅氧层峰值电场与所述电磁脉冲的关系。

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