三菱电机株式会社永久雄一获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029076.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅半导体装置以及电力变换装置是由永久雄一;日野史郎;贞松康史;八田英之;川原洸太朗设计研发完成，并于2018-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：提供一种碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。
本发明授权碳化硅半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备： 第1导电类型的碳化硅的半导体基板； 第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上； 活性区域，具有与源电极连接的第1导电类型的源区域的MOSFET在所述漂移层被周期性地配置； 终端区域，与所述活性区域独立地设置于所述漂移层； 第2导电类型的第2阱区域，设置于所述终端区域中的所述漂移层的表层； 导电性层，在比所述第2阱区域的底面更上部以不与所述第2阱区域欧姆连接的方式形成，薄层电阻比所述第2阱区域低；以及 导电性层接触孔，使所述导电性层和所述源电极欧姆连接，不使所述导电性层和所述第2阱区域欧姆连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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