意法半导体(格勒诺布尔2)公司;意法半导体(克洛尔2)公司L·希莫尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(格勒诺布尔2)公司;意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利具有控制电路的图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115767296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211057757.5，技术领域涉及：H04N25/705；该发明授权具有控制电路的图像传感器是由L·希莫尼;F·拉兰尼设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有控制电路的图像传感器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有控制电路的图像传感器。一种图像传感器包括在基底内部和顶部上的像素阵列。控制电路被配置为向基底施加电压电位。在第一阶段期间，控制电路向基底施加接地电位。在第二阶段期间，控制电路向基底施加相对于接地电位为正的电位。
本发明授权具有控制电路的图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 在基底内部和顶部上的像素阵列；以及 控制电路，被配置为： 在像素操作的第一阶段期间，向所述基底施加接地的第一电位用于从像素读取电荷；以及 在像素操作的第二阶段期间，施加高于所述第一电位的第二电位用于积分所述像素中的电荷， 其中每个像素包括： 第一区域，被配置为响应于发光激发而产生电荷；以及 至少两个电路组件，其中每个电路组件包括： 第二区域，被配置为存储由所述第一区域产生的电荷；以及 第一转移栅极，被配置为控制所述电荷从所述第一区域到所述第二区域的转移， 其中所述控制电路被配置为针对每个像素的每个电路组件的每个转移栅极控制： 通过施加第三电位将所述第一转移栅极设置为导电状态，以及 通过施加小于所述第三电位的第四电位将所述第一转移栅极设置为非导电状态， 其中控制所述第二电位，使得当所述第二电位被施加到所述基底并且所述第四电位被施加到所述第一转移栅极时，所述第一转移栅极是非导电的，所述第四电位等于或小于所述基底的电位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(格勒诺布尔2)公司;意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国格勒诺布尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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