上海集成电路研发中心有限公司张文广获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211109920.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法以及半导体器件是由张文广设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括在源漏接触金属层上形成填满沟槽的第二瓶塞材料层，并使所述第二瓶塞材料层的顶面高于覆盖栅极结构顶面的第一瓶塞材料层的顶面，有利于拓展不同瓶塞材料层的材料选择自由度，使得栅极和源漏接触可以仅使用一种瓶塞材料，从而简化了加工工艺。本发明还提供了通过所述形成方法得到的半导体结构以及包括所述半导体结构的半导体器件。
本发明授权半导体结构及其形成方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤： S0：提供衬底，所述衬底形成有栅极结构，位于所述栅极结构至少一侧的衬底内形成有源漏外延层，所述栅极结构的顶部覆盖初始介质层，所述初始介质层内形成有沟槽并露出所述源漏外延层，所述初始介质层包括覆盖所述栅极结构顶面的第一瓶塞材料层； S1：在所述沟槽内形成与所述源漏外延层电接触的源漏接触金属层，在所述源漏接触金属层上形成填满所述沟槽的第二瓶塞材料层，并使所述第二瓶塞材料层的顶面高于所述第一瓶塞材料层的顶面； S2：在所述第二瓶塞材料层和所述初始介质层共同构成的第一介质层上形成第二介质层； S3：在所述源漏接触金属层上形成贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的源漏接触通孔，在所述栅极结构上形成贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的栅极接触通孔； S4：在所述源漏接触通孔内形成与所述源漏接触金属层电连接的源漏接触孔插塞，在所述栅极接触通孔内形成与所述栅极结构电连接的栅极接触孔插塞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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