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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利倒装发光二极管和发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310222343.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权倒装发光二极管和发光装置是由曾江斌;赵凯;吴光耀;王诗颖;王庆;洪灵愿;蔡吉明;张中英设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装发光二极管和发光装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体堆叠层，由下至上包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，形成在半导体叠层的第二半导体层之上；绝缘层，覆盖所述半导体堆叠层和透明导电层，所述绝缘层设置有第一通孔，且所述第一通孔位于所述的透明导电层上；第一焊盘电极，形成在绝缘层上并且填入所述第一通孔以实现与所述透明导电层连接；所述的第一通孔的形状为：具有弧形形状的第一端部、弧形形状的第二端部以及连接第一端部和第二端部的中间部分，从所述第一端部向第二端部所述的第一通孔的宽度是逐渐变大的。通过第一通孔的形状设计，可以有效防止倒装发光二极管的电压升高，并且不影响倒装发光二极管的防静电性能以及亮度。

本发明授权倒装发光二极管和发光装置在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管，包括： 半导体堆叠层，由下至上包括第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层； 透明导电层，形成在半导体叠层的第二半导体层之上； 绝缘层，覆盖所述半导体堆叠层和透明导电层，所述绝缘层设置有第一通孔，且所述第一通孔位于所述的透明导电层上； 第一焊盘电极，形成在绝缘层上并且填入所述第一通孔以实现与所述透明导电层连接； 第二焊盘电极，形成在所述绝缘层上，所述绝缘层具有第二通孔，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第一半导体层连接， 其特征在于：从倒装发光二极管的正上方观察所述绝缘层的第一通孔，所述的第一通孔的形状为：具有弧形形状的第一端部以及弧形形状的第二端部，以及连接第一端部和第二端部的中间部分，从所述第一端部向第二端部所述的第一通孔的宽度是逐渐变大的； 从所述倒装发光二极管的正上方观察，所述第二通孔呈圆形，所述绝缘层的第二通孔的中心与所述第一通孔的第一端部之间的距离大于所述绝缘层的第二通孔的中心与所述第一通孔的第二端部之间的距离。

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